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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了Sn2S3超晶胞模型并进行了几何结构优化,对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算。结果显示,Sn2S3带隙值为0.027eV.,且其具有数量级104cm-1的吸收系数,能强烈地吸收光能。
Sn2S3电子结构和光学性质的第一性原理研究
【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了Sn2S3超晶胞模型并进行了几何结构优化,对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算。结果显示,Sn
【机 构】
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广州大学华软软件学院电子系,华南师范大学光电子材料与技术研究所
【出 处】
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现代盐化工
【发表日期】
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2016年2期
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