【摘 要】
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采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si-O-N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素.在ψ(NH3):ψ(SiH4)
【机 构】
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浙江大学纳米科学与技术中心,浙江省建筑科学设计研究院
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采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si-O-N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素.在ψ(NH3):ψ(SiH4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720 ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相
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