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为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变和进一步探索其在热光电池领域的应用，采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层，并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量．测量结果说明吸收峰接近黑体辐射峰1450nm波长，跃迁几率有所增加，这将大幅度提高热光电池的吸收效率，同时也为SiGe多量子阱中量子效应的存在提供了实验依据．