物理热蒸发法制备CdS／SiO2纳米线阵列和CdS纳米带

来源 :西安交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mmmmmmmmmmmmmmmmmmmm

【摘要】

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利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末，Si衬底表面发生了选择性刻蚀，并由此制备出CdS／SiO2纳米线阵列和CdS纳米带．研究了CdS／SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程，结

【作者】

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于灵敏祁立军范新会严文

【机构】

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西安工业学院材料与化工学院

【出处】

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西安交通大学学报

【发表日期】

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2006年1期

【关键词】

：

CdS/SiO2纳米线阵列 CdS纳米带纳米电化学自组织机制 CdS/SiO2 nanowire array CdS nanobelt self-assem

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利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末，Si衬底表面发生了选择性刻蚀，并由此制备出CdS／SiO2纳米线阵列和CdS纳米带．研究了CdS／SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程，结果表明：CdS枝晶的生长对CdS／SiO2纳米线阵列的形成起到了非常重要的作用；CdS／SiO2纳米线阵列的形成符合“纳米电化学自组织机制”；CdS纳米带的生长过程为气一目过程．

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