【摘 要】
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在采用真空射频磁控溅射法在Al2O3基片上制备Mn-Co-Ni-O（Mn:Co:Ni=3:2:1）功能薄膜时,需要进行高温退火处理,然后在此基础上制备NTC薄膜热敏电阻。本文利用X射线衍射仪（XRD）、台阶
【机 构】
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广东风华高新科技股份有限公司新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室
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在采用真空射频磁控溅射法在Al2O3基片上制备Mn-Co-Ni-O（Mn:Co:Ni=3:2:1）功能薄膜时,需要进行高温退火处理,然后在此基础上制备NTC薄膜热敏电阻。本文利用X射线衍射仪（XRD）、台阶仪、扫描电子显微镜（SEM）和恒温油槽等,分析了NTC薄膜热敏电阻的功能薄膜结构、功能薄膜形貌及电性能,研究了不同的退火温度对NTC薄膜热敏电阻室温电阻的影响。结果表明:在低于1000℃的退火温度时,随着退火温度的升高,NTC薄膜热敏电阻功能薄膜的晶粒逐渐长大,收缩率也逐渐升高,NTC薄膜热敏电阻的室温
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