采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似研究了Ti₃AC₂相（A=Si,Sn,Al,Ge）的相结构、能量、电子结构和弹性性质.首先对六方晶相结构的Ti₃AC₂（A=Si,Sn,Al,Ge）四个相进行几何优化,对其能带结构、总态密度、分态密度和电荷密度分布以及弹性性质进行研究,并计算各相的内聚能与形成能.计算结果表明:Ti₃GeC₂较其他三相稳定,Ti₃AlC₂的形成能最低,说明Ti₃AlC₂较Ti₃SiC₂,Ti₃SnC₂和Ti₃GeC₂更易生成;Ti₃AC₂（A=Si,Sn,Al,Ge）各相在费米能级处的电子态密度较高,材料表现出较强的金属性,同时各相的导电性为各向异性.Ti₃AC₂（A=Si,Sn,Al,Ge）各相的导电性主要由Ti的3d电子决定,A（A=Si,Sn,Al,Ge）的p态电子和C的2p态电子也有少量贡献.决定材料电学性质的主要是Ti的3d,A的P和C的2P态电子的P-d电子轨道杂化,而P-d电子轨道杂化成键则使材料具有比较稳定的结构;对Ti₃AC₂相（A=Si,Sn,Al,Ge）弹性性质的研究表明Ti₃AlC₂的原子间结合力较弱,而Ti₃GeC₂的原子间结合力相对较强,材料的强度较大.