【摘 要】
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在不同氨分压比(0~30%)下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透
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在不同氨分压比(0~30%)下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过率、光学吸收和光学带隙随着氨分压比的增加发生了显著变化.观察到了绿光、蓝光和紫外发光带,并对每个发光带进行了讨论.
N-doped β-Ga2O3 thin films were deposited on glass and silicon substrates by RF magnetron sputtering at different ammonia partial pressures (0 ~ 30%). The effect of ammonia partial pressure ratio and annealing on the optical and optical properties Structure, optical properties, optical absorption and optical band gap of N-doped β-Ga2O3 thin films changed significantly with the increase of ammonia partial pressure.The green, blue and ultraviolet light bands were observed , And discussed each light strip.
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