【摘 要】
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提出了12管低功耗SRAM加固单元.基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗.基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误.Hspice仿真结果表明,与
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院,合肥,230009;安徽工程大学电气工程学院,安徽芜湖,241000
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提出了12管低功耗SRAM加固单元.基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗.基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误.Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09％,HSNM平均上升19.91％,RSNM平均上升97.34％,WSNM平均上升15.37％,全工作状态下均具有较高的静态噪声容限,表现出优秀的稳定性能.虽然面积开销平均增加了9.56％,但是,读时间平均下降14.27％,写时间平均下降18.40％,能够满足高速电子设备的需求.
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