离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特性的研究(下)

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【摘要】

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本文推导了一种可简便,准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟

【作者】

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何波徐静马忠权史衍丽赵磊李凤孟夏杰沈玲

【机构】

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上海大学理学院物理系,上海,200444武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070;昆明物理研究所,云南,昆明,650223;

【出处】

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红外

【发表日期】

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2009年2期

【关键词】

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HgCdTe 环孔pn结 Ⅰ-Ⅴ特性动态电阻表面漏电流

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本文推导了一种可简便,准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数.计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能.HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加.

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