界面涂层对气相渗硅Cf／SiC复合材料力学性能的影响

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：doudou2008

【摘要】

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在1650℃气相渗硅（Vapor Silicon Infiltration—VSI）制备了3D碳纤维增强SiC基复合材料（Cf／SiC），其密度约为1．85g／cm^3．当C／SiC界面涂层存在时，气相渗硅cf／SiC强度为239．5MPa；而无界面涂层

【作者】

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周清董绍明丁玉生张翔宇王震黄政仁江东亮

【机构】

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中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院研究生院

【出处】

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无机材料学报

【发表日期】

：

2007年6期

【关键词】

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CF/SIC 气相渗硅界面 Cf/SiC vapor silicon infiltration interphase

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在1650℃气相渗硅（Vapor Silicon Infiltration—VSI）制备了3D碳纤维增强SiC基复合材料（Cf／SiC），其密度约为1．85g／cm^3．当C／SiC界面涂层存在时，气相渗硅cf／SiC强度为239．5MPa；而无界面涂层存在时，Cf／SiC弯曲强度大幅下降，约为67．4MPa．无界面涂层保护时，气相渗硅过程中纤维与硅蒸气发生反应，使得纤维硅化，造成材料性能下降．纤维表面沉积的C／SiC涂层，不仅保护纤维，避免被硅侵蚀，而且具有弱化界面、偏转裂纹等作用，复合材料的断裂功得到

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