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目的探讨全脑照射后鼠的学习、记忆力损伤及其变化规律。方法硫喷妥钠麻醉后，采用直线加速器10 MeV电子线照射102只4～6周龄昆明鼠全脑；102只分为3组（每组34只），照射剂量分别为20、10、5 Gy。另设34只鼠为对照组（只麻醉不照射）。照射后第1、2、3、4、5天和第14、28、56、84天采用跳台法测定鼠的学习、记忆力。结果照射后第2、3、56天，20 Gy组鼠受电击次数分别为（1.0±0.9）次、（0.9±0.6）次和（1.4±1.0）次，与对照组的差异均有非常显著性（P