【摘 要】
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对基于锁相放大技术的表面光电压测量中的'最佳相位'的物理意义及影响因素进行了系统的理论分析及实验验证.结果表明,对于通常所采用的金属-绝缘体-半导体(MIS)'
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对基于锁相放大技术的表面光电压测量中的'最佳相位'的物理意义及影响因素进行了系统的理论分析及实验验证.结果表明,对于通常所采用的金属-绝缘体-半导体(MIS)'三明治'测量结构,其等效阻抗会很大程度地影响到最佳相位.对于体相材料,'最佳相位'仅与测量条件有关;对于纳米材料等体系,光照可以改变MIS结构的等效电阻(Rins)、等效电容(Cins),从而将引起最佳相位角的显著变化,使'最佳相位'与所研究材料的特性直接关联起来.因此,该手段有可能成
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