近紫外光LED芯片用红色荧光粉SrIn2O4:Eu3+,Sm3+的制备及性能研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shy19780928

【摘要】

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利用高温固相法制备了Eu3+、Sm3+单掺杂及共掺杂的SrIn2O4荧光材料.通过XRD、激发光谱、发射光谱等对SrIn2O4∶Eu3+、Sr In2O4∶Sm3+、Sr In2O4∶Eu3+,Sm3+进行表征。结果表

【作者】

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龚文丽钟瑞霞齐建全刘自然张晓燕

【机构】

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东北大学秦皇岛分校资源与材料学院,东北大学秦皇岛分校河北省电介质与电解质重点实验室,河北科技师范学院凝聚态物理研究所

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

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2015年11期

【关键词】

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近紫外激发红色荧光粉 SrIn2O4 Eu3+ Sm3+ TNUV excitedred phosphorSrIn_2O_4∶ Eu~(3+) Sm~(3+)

【基金项目】

：

国家自然科学基金青年基金(11204027),东北大学基本科研业务费(N130423002,N130423001),河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(14961108D),清华大学新型陶瓷和精细工艺国家重点实验室开放基金(KF201410),河北省自然科学基金(E2013501035)

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利用高温固相法制备了Eu3+、Sm3+单掺杂及共掺杂的SrIn2O4荧光材料.通过XRD、激发光谱、发射光谱等对SrIn2O4∶Eu3+、Sr In2O4∶Sm3+、Sr In2O4∶Eu3+,Sm3+进行表征。结果表明,Sr In2O4∶Eu3+在近紫外光395 nm激发下能够有效的产生616 nm的红光发射.在Sr In2O4∶Sm3+体系中发现,该系列样品适合于407 nm的紫光激发,发射峰位于607 nm.在Sr In2O4∶Eu33+Sm3+体系中,通过光谱分析发现,基质中存在Eu3+和Sm3+

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