适用于无引线封装的SOI压力敏感芯片总体结构

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无引线封装技术能够将采用SOI技术的MEMS压力传感器的工作温度提高到300℃以上,解决传统充油封装无法耐受高温的问题,然而,无引线封装亦对SOI压力敏感芯片结构提出新的挑战。为应对此问题,该文提出适用于无引线封装的压力敏感芯片总体结构,主要研究压敏电阻掺杂浓度选择、重掺杂引线盘和金属点电极、键合玻璃结构、硅玻键合静电密封环等内容。通过大面积重掺杂的引线盘及金属点电极的设计解决硅-玻璃在电路器件层的静电键合问题。在键合玻璃上设计通孔,其位置对应金属点电极,解决电极厚度对键合的影响问题,同时实现欧姆接触。设
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