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采用RF磁控溅射法在玻璃衬底和PET衬底上沉积了Al掺杂的ZnO（AZO）薄膜，衬底的直流偏压为0-50V。主要研究了薄膜的结构、光学和电学特性。在玻璃衬底上制备AZO薄膜的沉积速率随偏压的升高而增大，然而再增加偏压时反而下降。当偏压为30V时，在玻璃衬底上制备的薄膜的最低电阻率为6．5×10^-4Ω·cm，在波长450-800nm内的平均透射率大于80％；在PET衬底上制备的薄膜也有相似的特性，但没有在玻璃衬底上制备的好。