微电子学用高纯砷烷、磷烷或硅烷混合物中痕量杂质的气相色谱分析

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介绍的分祈方法是测定含有H2或Ar的PH2,AsHa或SiH4混合气中的痕量O2,N2、CO、CO2和C1~C4的碳氢化台物。此法用化学法除去PH3、AsH3或SiH4,然后用气相色谱分离,在低温下用13X分子筛富集痕量成份,再用TCD和FID检测。检测极限估计Oz和N2为0.5vpm,CO和CO2为0.1vpm,碳氢化台物为0.01vpm。用同一个扑集柱进行吸附富集与解吸分离,可在同一个流程中,对所有感兴趣的痕量杂质进行分析。测量结果总的相对标准误差,估计在±22%左右。
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