【摘 要】
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基于平面波展开法,以 III-V 族半导体材料 AlP、AlAs、AlSb和GaP 构成二维方形格子光子晶体, 并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明, III-V 族半导体材料构成二维方形格子光子 晶体具有较好的光子带隙,形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大, f=0.2a时归一化频率达到 最大光子带隙, AlSb 具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供了理论依据。
【机 构】
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临沂大学实验管理中心,山东临沂276000
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基于平面波展开法,以 III-V 族半导体材料 AlP、AlAs、AlSb和GaP 构成二维方形格子光子晶体, 并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明, III-V 族半导体材料构成二维方形格子光子 晶体具有较好的光子带隙,形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大, f=0.2a时归一化频率达到 最大光子带隙, AlSb 具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供了理论依据。
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