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本文采用水热反应法，制备了高质量的单斜二氧化钒（VO2（M））和钨（W）掺杂的V1-xWxO2纳米杆样品．合成的纳米样品的结构、形貌及相转变分别用X-射线衍射，扫描电子显微镜（SEM）及差分扫描量热（DSC）来表征．DSC测量指出W掺杂为1.5％at．的WxV1-XO2样品的金属一绝缘体转变温度（MIT）为42℃，明显低于未掺杂的VO2（M）纳米杆转变温度（67℃）．这个结果可解释为W离子掺杂使得VO2（M）晶格发生膨胀，同时W^＋6替代V^＋4使得局域电子态密度增加，从而降低了VO2（M）相的转变温度．