【摘 要】
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随着CMOS电路的高速发展，集成密度的增大，低功耗的设计以及系统芯片的普及，导致电路更容易受到空间辐射的影响，尤其是单粒子效应（SingleEventUpset，SEU）。本文介绍了基于SRAM的FPGA
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随着CMOS电路的高速发展，集成密度的增大，低功耗的设计以及系统芯片的普及，导致电路更容易受到空间辐射的影响，尤其是单粒子效应（SingleEventUpset，SEU）。本文介绍了基于SRAM的FPGA受到空间辐射环境影响产生的单粒子效应，分析了国内外针对SEU效应提出的一些器件的加固方法：工艺加固、电阻加固、电容加固、电路设计加固等。重点分析介绍了冗余技术、EDAC技术以及Scrubbing技术等电路设计加固技术，总结比较了各种技术的优缺点。
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