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采用原位化学沉淀法,将氧化铈(CeO2)包覆于爆轰纳米金刚石(DND)颗粒上,制得DND@CeO2复合磨料。复合磨料的最佳抛光工艺参数为:抛光压力4 kg、抛光盘转速120 r/min、抛光液流量70 mL/min、抛光液质量浓度1%、抛光液pH=10,此条件下复合磨料最大材料去除率可达73.26 nm/min,且抛光后的蓝宝石表面粗糙度可达4.47 nm,较CeO2(粗糙度17.21 nm)和DND磨料(粗糙度24.1 nm)更优。分析抛