【摘 要】
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运用反射相位法和高斯光束峰值位移判断法研究了由电单负材料(ENM)和磁单负材料(MNM)组成的双层结构的古斯亨兴位移现象。首先利用传输矩阵计算结构的反射系数，通过对反射系数的相位分析，发现对于单层的电单负材料和单层的磁单负材料，反射高斯光束的古斯亨兴位移方向相反，同时位移的大小与材料厚度存在一定的联系。进一步对双层材料传输矩阵进行解析分析，发现由电磁参数互为相反数的电单负材料和磁单负材料组合而成的双层材料，可以便捷地通过改变某一层材料的厚度来调控古斯亨兴位移的大小和方向。
【机 构】
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同济大学物理系,上海200092北京计算科学研究中心,北京100084
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运用反射相位法和高斯光束峰值位移判断法研究了由电单负材料(ENM)和磁单负材料(MNM)组成的双层结构的古斯亨兴位移现象。首先利用传输矩阵计算结构的反射系数，通过对反射系数的相位分析，发现对于单层的电单负材料和单层的磁单负材料，反射高斯光束的古斯亨兴位移方向相反，同时位移的大小与材料厚度存在一定的联系。进一步对双层材料传输矩阵进行解析分析，发现由电磁参数互为相反数的电单负材料和磁单负材料组合而成的双层材料，可以便捷地通过改变某一层材料的厚度来调控古斯亨兴位移的大小和方向。
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