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采用分子自组装活化法在铝基板表面氧化铝上实施化学镀铜，镀层有很好的剥离强度，通过SEM、EDS和离子色谱对其进行了表征。研究了硅烷化时间与基体表面硅烷修饰量的关系，浸钯时间对基体表面钯含量的影响，硅烷化时间对镀层剥离强度的影响。通过正交试验得到最佳工艺条件：硅烷化处理用3-氨基丙基三乙氧基硅烷，质量分数为0．4％，硅烷化时间12h、温度50℃、浸钯溶液活化时间30min、30℃；得到的镀铜层剥离强度为1．00。