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多晶硅薄膜晶化率对暗电导率的影响
多晶硅薄膜晶化率对暗电导率的影响
来源 :韩山师范学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:luke_lemon
【摘 要】
:
采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响.结果表明,暗电导率随着晶化率的增大而逐渐增
【作 者】
:
陈城钊
【机 构】
:
韩山师范学院物理系
【出 处】
:
韩山师范学院学报
【发表日期】
:
2004年3期
【关键词】
:
多晶硅薄膜
晶化率
暗电导率
Raman散射谱
半导体器件
poly-silicon thin filmRaman spectracrystallization
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采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响.结果表明,暗电导率随着晶化率的增大而逐渐增大.提出了一个简单模型解释了这一现象.
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