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基于晶片的红外透射原理，设计并搭建了晶片直接键合质量红外检测装置，并利用图像处理技术开发了相应的软件模块，可以快速获取键合界面的特性参数，如空洞分布、大小及键合率等，从而实现晶片直接键合质量的快速评估。同时，将该红外检测装置与硅片键合装置结合一体，可以实时监测硅片直接键合工艺。通过分析不同工艺条件下所获得的键合片质量，包括键合率、缺陷分布以及键合强度等参数的比较，可以有助于理解晶片键合的机理，实现键合工艺的优化。