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本工作采用波长1.06微米的机械调Q激光器作光源,用高频光电导衰减法测试电阻率在1～10欧-厘米范围内的硅单晶少子寿命,获得了较好的初步成果。这种改进寿命测试方法的特点是激光技术和高频无接触耦合,故定名为“激光高频法”,该方法所需设备和测试操作都不太复杂,适当改进后,可作为一种测试大规模集成电路用的低阻硅材料少子寿命的常规方法。