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晶片键合技术已成为半导体器件制备中的一项重要工艺,目前广泛地应用于SOI（Silicon-on-insulator）、GOI（Germanium-oninsulator）结构以及硅基Ш-V族结构的制备,在硅基光电集成方面具有广阔的应用前景。本文采用键合技术结合智能剥离方法制备了绝缘层上锗（GOI）材料,并通过原子力显微镜（AFM）、扫描声学显微镜（SAM）、透射电镜（TEM）、以及X射线衍射（XRD）等对GOI的微结构进行了表征和分析。非破坏性的检测方法在键合质量检测上具有重要的应用价值,键合材料表征技术