【摘 要】
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用射频磁控溅射技术制备了[SiO(t)/FeNi(t)]多层膜系列(其中t和t分别代表SiO层和FeNi层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO(3.3nm)/FeNi(t)]系统,当FeNi层厚度小于2.4nm时,Fe
【机 构】
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兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室(兰州)
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用射频磁控溅射技术制备了[SiO<,2>(t<,1>)/Fe<,25>Ni<,75>(t<,2>)]<,N>多层膜系列(其中t<,1>和t<,2>分别代表SiO<,2>层和Fe<,25>Ni<,75>层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO<,2>(3.3nm)/Fe<,25>Ni<,75>(t<,2>)]<,10>系统,当Fe<,25>Ni<,75>层厚度小于2.4nm时,Fe<,25>Ni<,75>层从连续变为不连续;在t<,2>=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64﹪,当温度高于180K时,1nR正比于T<-1/2>,表明导电机制为热激发的隧穿导电;对[SiO<,2>(1.8nm)/Fe<,25>Ni<,75>(1.6nm)]<,N>系统,发现磁电阻和电导率先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.
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