【摘 要】
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采用GaN HEMT裸管芯片TGF2023-2-02,设计了一款工作于5G频段的宽带功率放大器。首先,在HFSS中合理设置键合线的结构参数并建立模型进行仿真,以实现晶体管与外围的微带电路连
【机 构】
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淮南师范学院电子工程学院,淮南师范学院,杭州电子科技大学
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61871169),射频电路与系统国家教育部重点实验室开放研究项目(KFJJ201807)
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采用GaN HEMT裸管芯片TGF2023-2-02,设计了一款工作于5G频段的宽带功率放大器。首先,在HFSS中合理设置键合线的结构参数并建立模型进行仿真,以实现晶体管与外围的微带电路连接;其次,利用ADS对功率管的大信号模型进行负载牵引,进而获得可以实现高性能的最佳负载阻抗,通过使用多频点阻抗匹配方法有效拓展了功率放大器的带宽。仿真结果表明:在3-6GHz频带范围内大信号增益大于8.6dB,增益平坦度维持在±0.7dB,输出功率为38.6-40dBm,效率为35%-47%。
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