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硅外延电阻率是硅外延产品生产管控中的重要参数之一,常规采用汞C-V方法进行测试,其测试稳定性一直是技术难点。测试片正面、背面的氧化膜质量和厚度是影响测试稳定性的主要因素。采用微处理腔动态薄膜技术,有效改善硅外延片正表面薄膜质量的稳定性及重复性,并通过试验比对确认硅片背封厚度,有效提升硅外延电阻率测试稳定性。