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提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤．其原理是：经过研磨和化学机械抛光后，起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖，劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准；角度抛光的倾斜角可通过劈尖上面产生的干涉条纹准确地测量得到．采用这种方法可以方便、准确地测量硅片由切割、研磨和磨削引起的亚表面损伤，其能够测量的最小损伤深度为几百纳水．