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为准确评估闪烁薄膜探测器(OSFD)在脉冲裂变中子参数测量中γ射线对测量结果的影响,利用Geant4程序对闪烁薄膜探测器的X(或γ)射线响应进行模拟,结合半经验电子发光效率曲线,获得探测器能量响应理论曲线,利用662keV和1.25MeV的单能γ射线源,以及窄谱剂量标准的48～208keV准单能X射线能点对探测器响应进行刻度。本研究结果为闪烁薄膜探测器结构的改进,以及探测器在宽能谱脉冲X射线场测量中的应用提供了重要依据。