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采用固相扩散法在n-Si（100）衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜。利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术，对薄膜的厚度及组分分布进行了表征，两者具有较好的一致性。分析了退火对薄膜厚度、组分和应变的影响。成功得到了完全驰豫状态的SixGe1-x薄膜，可用于实际器件制作。
SiGe材料的组分表征研究与退火分析
【摘 要】
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采用固相扩散法在n-Si（100）衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜。利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术，对薄膜的厚度及组分分布进行了表征，两者具有较好的一致性。分析
【机 构】
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重庆邮电大学光纤通信技术重点实验室,日本名古屋大学工学研究科结晶材料专攻
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2008年5期
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