美光科技推出第三代低延时内存 美光与领先芯片组和定制ASIC设计公司合作开发高带宽、低延时网络解决方案

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2010年7月14日,美光科技(Micron Technology,Inc)推出了第三代低延时DRAM(RLDRAM 3内存)——一种高带宽内存技术,能更有效地传输网络信息,满足视频内容、移动应用和云计算蓬勃发展的需要。与前几代产品相比,美 On July 14, 2010, Micron Technology, Inc. introduced the third generation of low-latency DRAM (RLDRAM® 3 memory), a high-bandwidth memory technology that enables more efficient delivery of network information and video content , The need for mobile applications and cloud computing to flourish. Compared with previous generations of products, the United States
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