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以Free-Standing条件生长的超晶格原胞为计算模型，运用LCAO-Recursion方法研究了（GaN）n／（AlN）n（001）应变层超晶格的电子结构．由计算结果分析了GaN／A1N应变层超晶格中Ga，Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势；当超晶格中存在空位时，带隙中将形成缺陷能级．最后分析了在超晶格中引入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响．