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采用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）两步生长法在自持化学气相沉积（CVD）金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜，并研究了薄膜的生长特性和电学特性．结果表明，在基片温度为600℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀，取向较一致，为C轴取向生长．其载流子迁移率为3．79cm^2／（V·s）．
自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性
【摘 要】
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采用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）两步生长法在自持化学气相沉积（CVD）金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜，并研究了薄膜的生长特性和电学特性．结果表明，在基片温度为600℃时沉积得到
【机 构】
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大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学物理与光电工程学院,吉林大学集成光电子国家重点实验室
【出 处】
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吉林大学学报：理学版
【发表日期】
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2007年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：60307002）.
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