磁控溅射法制备Fe-Si化含物薄膜的研究

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笔者采用磁控溅射的方法,在高真空不同的溅射气压条件下,沉积金属Fe到Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在2h和12h条件下对两组样品进行热处理,直接形成了Fe-Si化合物薄膜.采用X射线衍射仪对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究,结果表明,在溅射气压为1.0~1.5 Pa,退火温度为800℃退火12h能够得到质量很好的Fe-Si薄膜,超过1.5 Pa时就会朝其他的Fe-Si化合物转变,还可能有Fe和Si的氧化物生成.
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