论文部分内容阅读
为了考虑铁电薄膜的历史电场效应，本文结合偶极子转换理论和MOS电容器的半导体物理理论，提出了一种描述MFMIS电容器电学性能的改进模型。利用该模型，模拟了铁电薄膜的极化强度-电压（P-E）特性和MFMIS电容器的电容-电压（C-V）特性，并与实验结果进行了对比。模拟结果与实验结果符合较好。本改进模型可被推广应用至MFMIS结构类器件中。