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采用FCVA方法沉积了厚度分别为2nm、5nm、10nm和30nm的类金刚石薄膜。在氩气保护下对类金刚石薄膜进行了180、300、400和600℃，保温6h的退火处理。用Raman光谱和宽光谱变角度椭偏仪研究了DLC薄膜的结构和热稳定性。实验结果表明，随着薄膜厚度增大，FCVA法沉积的DLC薄膜中的印sp^3键含量增加，薄膜热稳定性逐渐改善。当DLC薄膜的厚度为30nm时，薄膜中的印sp^3键含量达到最高值，薄膜具有最好的热稳定性。当退火温度为600℃时，厚度为2nm和5nm的DIE薄膜结构由非晶态转变为