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室温下采用直流磁控溅射法在玻璃基片上沉积CoTaZr薄膜。利用EDS、SEM、XRD等方法研究溅射气压、功率对CoTaZr薄膜成分、生长形貌和组织结构的影响。结果表明，溅射功率为96W时，沉积制备的薄膜成分随Ar气压变化不大，薄膜成分基本稳定。在溅射气压为2Pa、功率为96W时，成功制备出具有非晶＋纳米晶结构的CoTaZr薄膜。在2Pa时，随着功率的增大，薄膜由1区、T区向3区转变；在96W时，随着气压的增大，薄膜由3区向T区或1区转变。