超深亚微米SOI总剂量效应泄漏电流模型

来源 :太赫兹科学与电子信息学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zqfc2058

【摘要】

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总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成

【作者】

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席善学郑齐文崔江维魏莹姚帅何承发郭旗陆妩

【机构】

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中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院大学

【出处】

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太赫兹科学与电子信息学报

【发表日期】

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2019年6期

【关键词】

：

总辐照剂量绝缘体上硅模型浅沟槽隔离 Total Irradiation Dose(TID) Silicon-On-Insulator model Shal

【基金项目】

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中科院西部之光资助项目(2015-XBQN-B-15,2017-XBQNXZ-B-008),国家自然科学基金项目(U1532261,11605282,11505282,11605283)

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总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成漏极到源极的寄生晶体管。针对130nm部分耗尽(PD)SOINMOSFET器件的总剂量辐射退化特性,建立了一个包含总剂量辐射效应的通用模拟电路仿真器(SPICE)模型。在BSIMSOI标准工艺集约模型的基础上,增加了STI寄生晶体管泄漏电流模型,并考虑了辐射陷阱电荷引起寄生晶体管的等效栅宽和栅氧厚度的变化。通过与不同漏压下、不同宽长

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