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多级自旋转移力矩磁性存储器（MLC STT一RAM）是一种新型的非易失性存储介质。不同于采用电荷方式来存储信息的SRAM,MLC STT一RAM利用自旋偏振电流通过磁隧道结（MTJ）改变自由层的磁层方向来存储信息,能够天然地避免电磁干扰。文章利用MLC STT一RAM的抗电磁辐射特性,探索在航天抗辐照环境下将其作为存储介质用于寄存器设计。在MLC STT一RAM中,每个存储单元有4种不同的阻抗状态,不同的阻抗状态之间的转换具有不同的能耗和延迟的代价。而传统的基于SRAM的寄存器分配技术并没有考虑不同的写状