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对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频率性能.
AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
【摘 要】
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对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年z1期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,2002CB311903)和国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)资助项目
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