八毫米宽带混频器

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:elongyu999
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采用南京电子器件研究所WH51型砷化镓肖特基势垒混频二极管,设计制成双脊背波导晶体座结构的鳍线CROSSBAR式的双管平衡混频器,在八毫米波段内取得了良好的性能。这种电路具有结构简单,使用元件少,加工容易,调试方便等特点。 混频器的主要技术指标如下: 频率范围 30~40GHz;中频输出 250~1000MHz; Using WH51 type gallium arsenide Schottky barrier hybrid diode of Nanjing Institute of Electronic Devices, a CROSSBAR double-tube balanced mixer with a finned double-ridged waveguide structure was designed and achieved good results in the 8mm band Performance. This circuit has a simple structure, the use of components, easy processing, debugging convenience and so on. Mixer’s main technical indicators are as follows: Frequency range 30 ~ 40GHz; IF output 250 ~ 1000MHz;
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