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采用传统降温法，利用不同原料从氘化程度为85％的溶液生长了四方相磷酸二氘钾（DKDP）晶体，并选取部分样品进行三倍频光损伤阈值测试。实验结果表明：不同纯度原料对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长溶液稳定性的影响效果相反，即由于原料中杂质金属离子含量的差别，高纯原料生长的晶体较一般原料生长的晶体损伤阈值可提高1．5倍，但其生长溶液的稳定性比一般原料低。