MEMS封装用局部激光键合法及其实现

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:asd_012
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对常规激光键合在Si-玻璃键合工艺中因高温而引起的负面效应进行了分析,从而设计出芯片表面活化预键合与激光键合工艺相结合的方法。该方法已用于微电子机械系统(MEMs)样片封装实验中。实验过程是:先用一种特殊的化学方法形成亲水表面,然后将Si和玻璃置于室温下进行预键合,最后取波长1064nm、光斑直径500μm、功率70W的Nd:YAG激光器作局部激光加热。结果表明,该方法在不施加外力下能实现无损伤低温键合,同时拉伸实验也说明了样片键合强度达到2.6~3.0MPa,从而既保证了MEMS芯片的封装质量又降低了其
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