【摘 要】
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研究了sol-gel掺锡氧化铟(ITO)溶胶在SiO2/Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比.结论是,sol-gel ITO膜,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性
【机 构】
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江苏石油化工学院功能材料实验室,香港理工大学电子工程系,应用物理系
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研究了sol-gel掺锡氧化铟(ITO)溶胶在SiO2/Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比.结论是,sol-gel ITO膜,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性,但以sol-gel ITO膜作下电极,无法使PLT、PZT的sol-gel膜具有明显的结晶取向.因漏电太大,sol-gel ITO也无法作sol-gel铁电膜(如PLT,PZT)的上电极.但在CVD ITO膜上,sol-gel铁电膜能很好结晶,且Au/PLT/ITO电容,具有良好的电学
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