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在分析铌酸锂（LiNbO3, LN）晶体中本征点缺陷空间分布的基础上，利用GULP软件分析了LN晶体中点缺陷的电荷补偿机制。结果表明，对于LN晶体中的电中性缺陷团簇(+)?+4Li4VLi Nb ，其中3个?LiV 缺陷易产生在4+LiNb上方与之最近邻的Li位，且4+LiNb 与3个空位以团簇的形式缔合，另一个?LiV 产生在4+LiNb 下方的Li位上，该空位与上述缔合体间的作用力较小。