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运用第一性原理赝势方法计算过渡金属X（Hf、Ta、W）单掺锐钛矿相TiO2后的电子能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明，x掺锐钛矿相TiO2，使得掺杂后体系的体积增大，并随着X掺杂浓度的增加而增大；掺杂体系的禁带宽度都比纯TiO2的要小；由能带图可知，Ta、W单掺后，费米能级进入导带，说明这两种单掺体系属于N型半导体；随着不同浓度Hf、Ta、w的掺入，发现吸收光谱都发生了不同程度的红移，其中Ta、w掺杂体系的光响应范围覆盖了整个可见光区域，对比所有掺杂体系发现Ti0.9375W0.0833O2在可见光