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采用高纯铝、钛双靶源在TC11基材上沉积制备了TiAlN膜层，并分析研究了膜层微观特性。结果表明：沉积的TiAlN膜层厚2～3μm，膜层结构致密；可明显地观察到膜基界面处Ti、Al和N三种元素呈梯度分布，存在元素扩散，使膜层与基体间形成冶金结合；膜层沉积过程中钛靶电流对相结构有明显的影响，而基体偏压对相结构无明显影响。