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在草酸溶液中，采用二次阳极氧化法得到了多孔阳极氧化铝膜（AAO）．以AAO为模板，在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积，在孔内组装ZnSe半导体纳米线，溶去模板后，获得粗细均匀，直径约为60nm，长度约为0．5μm的纳米线，与模板的孔径一致．在制备过程中，无需对模板进行去除阻挡层，喷金或预镀金属等处理过程，是直接在纳米孔内电沉积，形成半导体纳米线阵列．此方法工艺简单，操作方便，容易获得半导体的一维纳米材料．SPM、TEM测试结果表明，纳米线为六方晶型结构．